Отбросив слишком длинное «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), фактически неверное «триод на поверхностных состояниях» (surface states triode) и непонятное «йотатрон» (iotatron), Bell Labs утвердила «транзистор» (transistor) — от англ. Transconductance (проводимость) или transfer. Мы предполагаем, что вам понравилась эта презентация. Чтобы скачать ее, порекомендуйте.

Транзистор — полупроводниковый триод — x. Внутри практически любой современной микросхемы находится великое. Презентация была опубликована 3 года назад пользователемГаля. 2 Введение Биполярными транзисторами называются полупроводниковые приборы. Полупроводниковые диоды и триоды. Выпрямление токов, а также усиление напряжений и мощностей можно осуществить с помощью.

И она нашлась в виде полупроводникового транзистора. В первой половине тридцатых годов точечные триоды изготовили двое.

30 июня 1948 г. 30 июня 1948 г. О полупроводниковом триоде см. Схема простейшего вакуумного триода с катодом прямого накала. Схемное обозначение вакуумного триода с катодом косвенного накала. Полупроводники.Полупроводниковый диод.

Полупроводники (презентация). Полупроводниковые диоды и триоды.

Вакуумный диод и триод нить накала катод анод - Е Вакуумный диод 2. Внутри практически любой современной микросхемы находится великое множество крошечных транзисторов.

Распространители Книг Роосса. В процессорах. Изобретение транзисторов и развитие полупроводниковой электроники. А что если заменить вакуумный триод, на котором была основана вся.

На церемонии презентации Э.Г. Рудберг, член Шведской королевской. Ученые, покинувшие компанию Shockley Semiconductor.

Видеокартах, чипсетах. Без них не было бы ни. Драйвера Для Ровербук Z550. Таскали бы в рюкзаках ламповые рации, как. Транзистор — это фактически главная радиодеталь в нынешней. Такой штуке ну никак нельзя не уделить внимания. Немного истории.

Первый полевой транзистор был запатентован в 1. Оскар Хайл (Oskar Heil). Полевой — потому что работает благодаря. Хотя, справедливости ради необходимо отметить, что идею запатентовал австриец. Юлий Эдгар Лилиенфельд ещё в 1. Однако в те времена больше ценили.

Берут патенты на прямоугольники с закруглёнными краями. Далее по списку у нас — изобретение биполярного транзистора. Любители искать. Инопланетян непременно скажут, что такие устройства были найдены в летающей. США рядом с какой- то фермой, исследованы.

Как было всё на самом деле, сказать трудно, особенно если в пришельцев не. Однако биполярный транзистор был официально представлен миру 2.

Изобретателями считаются Джон Бардин, Уильям Шокли и Уолтер. Браттейн, работники конторы Bell Labs. Через девять лет им за это дали.

Нобелевскую премию. Именно им, а не зелёным человечкам с других планет. Принцип действия. Для начала разберёмся, что такое полупроводник. Почему «полу»? Достигается это за счёт так называемого электронно- дырочного перехода.

С какими именно? У другого, «дырки», — мало. Электроны, поступающие в прибор, будут двигаться в направлении, обусловленном. Примерно по такому принципу работают диоды. Если подать на них переменный.

Или, как говорят. Теперь представьте себе, что в эту систему добавили третий контакт, тоже. То есть, сделали из диода полупроводниковый. Что будет с дополнительно поступающими электронами?

Они сольются с теми. Допустим, это импульсы звуковой частоты. Тогда ток от источника питания.

Конечно, это весьма упрощённое толкование принципа действия. На самом деле. Транзисторы способны не только усиливать сигналы, но также служить обычными.

То есть, приборы практически универсальные. В отличие от, скажем, тиристоров.

Полевой транзистор. Внутри этого прибора под воздействием тока возникает электрическое поле. Каналом транзистора.

В зависимости. От конструктивно обусловленной полярности прибора, канал помечается латинскими.

Именно в нём происходит вся полезная. Затвор может быть изолирован, отделён от канала оксидной плёнкой. Получается МОП- структура (МОП расшифровывается как «металл — оксид —.

Собственно говоря, почему бы его и не изолировать, ведь. Кстати, такой транзистор также называют. Биполярный транзистор. У биполярного транзистора три контакта: база, куда обычно подаётся то, что нужно усиливать; коллектор; эмиттер. У такого прибора внутри аж три слоя. Представьте себе чашку чая, в которой. Корпус чашки — коллектор.

Отводится самый маленький кусочек — ломтик. Структуры переходов обозначаются как p- n- p (эмиттер подключён. Какой канал откроется.

Но в обычном режиме работы открыт эмиттерный переход. В общем- то, манипулируя напряжениями на контактах и схемами подключения. Это забота инженеров, проектирующих разные хитрые устройства. Флэш- память. Флэш- накопители (флэшки. МОП- транзисторов с так называемым плавающим затвором. Конструктивная особенность.

Он и считывается как. Стирание и запись реализуются посредством подачи управляющих напряжений. При этом происходят необратимые изменения, связанные с диффузией. Запоминающие ячейки изнашиваются и выходят из строя эдак тысяч через десять. Если флэшка недорогая — значительно раньше.

В умелых руках, при наличии светлой инженерной мысли, такой. Желающие стать радиоинженерами, проектировщиками. Автор: vanilinkin, специально для x. Предыдущие публикации: Последнее редактирование: 2. Метки материала. Транзистор, триод, полупроводниковый триод, техника электроника, устройства электроники, радиоэлектроника, высокие технологии, электротехника и электроника, радиотехника и электроника, техника и электроника, электронные технологии, основы электроники. Оставьте, пожалуйста, свой комментарий к публикации.

Явление термоэлектронной эмиссии 2. Вакуумный диод и триод 3. Электронно – лучевая трубка, кинескоп. Скачать бесплатно и без регистрации.

Явление термоэлектронной эмиссии 2. Вакуумный диод и триод 3. Электронно – лучевая трубка, кинескоп.

Явление термоэлектронной эмиссии Вакуум – пространство, не содержащее каких – либо частиц (молекул, атомов, элементарных частиц. Скажите, где существует относительный вакуум Почему электрический ток в вакууме невозможен. Явление термоэлектронной эмиссии Чтобы ток в вакууме стал возможен, необходим источник свободных заряженных частиц Таким источником в вакуумных приборах служит разогретый до высокой температуры (1. С) катод, из которого вылетают электроны.

Это явление получило название термоэлектронной эмиссии Почему при разогреве катода из него начинают вылетать электроны. Вакуумный диод и триод. Е Вакуумный диод 1. Прямое включение Электроны, вылетевшие из разогретого катода, устремляются к аноду, замыкая цепь Вакуумный диод хорошо проводит ток в прямом направлении При увеличении напряжения на аноде происходит насыщение – все электроны достигают анода U(В) I(A). Вакуумный диод и триод нить накала катод анод - Е Вакуумный диод 2. Обратное включение Электроны, вылетевшие из разогретого катода, тормозятся электрическим полем и возвращаются к катоду Вакуумный диод не проводит ток в обратном направлении +. Вакуумный диод и триод Вольт – амперная характеристика вакуумного диода (ВАХ) U (В) I (А) Вакуумный диод обладает односторонней проводимостью и применяется для выпрямления переменного тока (кенотрон).

Вакуумный диод и триод Вакуумный триод нить накала катод анод + - управляющая сетка График изменения напряжения между катодом и сеткой График изменения анодного тока Вакуумный триод обладает усилительными свойствами. Вакуумный диод и триод Различные радиолампы тетрод пентод КК АА УС ЭС АС А - анод К - катод УС – управляющая сетка ЭС – экранирующая сетка АС – защитная (антидинатронная) сетка Существуют радиолампы с большим числом электродов (гептод, октод.

Полупроводниковые триоды Полупроводниковые триоды, называемые транзисторами, служат для тех же целей, что и ламповые триоды, т. Для усиления и генерирования колебаний, но они по сравнению с электронными лампами обладают рядом преимуществ: очень большим сроком службы, малыми размерами, большой механической прочностью, отсутствием расхода энергии на накал, незначительным собственным потреблением энергии.

Полупроводниковый триод представляет собой пластинку из кремния или германия, состоящую из трех областей. Две крайние области всегда обладают одинаковым типом проводимости, а средняя — противоположной проводимостью. Триоды, у которых средняя область обладает электронной проводимостью, сокращенно называются триодами типа р — n — р; триоды, у которых средняя область обладает дырочной проводимостью, — триодами типа n — р — n.

Физические процессы, происходящие в триодах двух типов, аналогичны. Рассмотрим работу плоскостного кремниевого триода типа n — р — n. Такой триод (рис. 221) содержит два электронно-дырочных перехода, отделяющих две крайние области с электронной проводимостью от средней области с дырочной проводимостью.

В условиях работы триода к левому слою прикладывается прямое постоянное напряжение, а к правому — обратное. Под действием электрического поля большая часть электронов из левой n-области, преодолевая р — n-переход, переходит в очень узкую среднюю р-область. Здесь большая часть электронов продолжает движение по направлению ко второму переходу. Приближаясь к нему, электроны попадают в электрическое поле, созданное внешним положительным напряжением батареи U к Под влиянием этого поля электроны быстро втягиваются в правую n-область, что вызывает увеличение тока в цепи этой батареи, так как сильно снижается сопротивление второго перехода. При увеличении напряжения батареи U э число электронов, двигающихся из левой области в среднюю, будет расти и, следовательно, число электронов, переходящих из средней области в правую, также будет увеличиваться.

Каждая из трех областей полупроводникового триода имеет свое название: левая область, испускающая (эмиттирующая) электроны — носители зарядов, называется эмиттером Э; правая область, собирающая носители зарядов, — коллектором К, а средняя область — основанием или базой Б. В известной мере можно считать, что эмиттер по своему назначению подобен катоду, коллектор — аноду, а база — управляющей сетке трехэлектродной лампы. Если в цепь эмиттера включить переменное напряжение U с (рис. 222), то оно будет складываться с напряжением батареи U э и изменять ток эмиттера.

В результате этого через левый — эмиттерный переход будет протекать не постоянный, а пульсирующий электрический ток. Изменение силы тока в цепи эмиттера Δ I э вызовет изменение тока в цепи коллектора Δ I. Однако поскольку не все электроны, испускаемые эмиттером, достигают коллектора, а небольшая часть из них рекомбинирует, т. Заполняет некоторое количество дырок в средней области триода (базе), изменение силы тока в цепи коллектора Δ I к будет несколько меньше, чем в цепи эмиттера. Практически сила тока коллектора составляет 98 — 99% тока эмиттера.

Так как к эмиттерному (левому) n — p-переходу приложено напряжение в прямом направлении, этот переход обладает малым сопротивлением. Правый же коллекторный р — n-переход, на который напряжение подано в обратном направлении, имеет большое сопротивление. По этой причине напряжение, прикладываемое к эмиттеру, обычно весьма невелико (порядка десятых долей вольта), а напряжение, подаваемое на коллектор, может быть достаточно большим (порядка нескольких десятков вольт). Изменение силы тока в цепи, создаваемого малым напряжением U э, вызывает почти такое же изменение силы тока в цепи коллектора, где действует значительно большее напряжение U. В результате этого в триоде осуществляется усиление мощности. Простейшая схема усилителя с полупроводниковым триодом изображена на рис. На вход трансформатора подается усиливаемый сигнал.

В цепь эмиттера включена вторичная обмотка трансформатора, а для ограничения силы тока введено сопротивление. В цепь коллектора (на выходе триода) включена нагрузка R н. Батарея U э подсоединяется в прямом направлении и поэтому эмиттерный n — р-переход обладает малым сопротивлением. Батарея U к подсоединяется в обратном направлении, в связи с чем сопротивление коллекторного n — р-перехода имеет значительную величину.

Сопротивление нагрузки R н при соответствующем подборе напряжения батареи U к может быть достаточно большим по сравнению с сопротивлением на входе усилителя. Триод будет усиливать мощность подаваемого сигнала, так как мощность, подводимая к его входу ( Р вх = I э 2 R вх), меньше полезной мощности сигнала на выходе, т.

В нагрузке ( Р н = I к 2 R н). Коэффициент усиления по мощности Ввиду того что база рассмотренного триода является общей для цепи эмиттера и коллектора, такая схема включения называется схемой с общей базой. При применении этой схемы выходной ток — ток коллектора практически равен току эмиттера — входному току, поэтому при включении триода по схеме с общей базой нет усиления по току, а происходит усиление мощности и напряжения. Отличительные особенности триода типа р — n — р по сравнению с триодами типа n — р — n заключаются в обратной полярности включения источников питания, а также в том, что электрический ток в этих триодах создается в основном не электронами, а дырками. Кроме этой схемы применяют еще две схемы включения полупроводниковых триодов: схема с общим (заземленным) эмиттером и схема с общим коллектором. В схеме с общим эмиттером (рис. 224, а) усиливаемый сигнал подается к зажимам «Вход» между базой и эмиттером, а усиленное напряжение снимается с сопротивления нагрузки В этой схеме эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепи триода.

Батарея U б обеспечивает подачу постоянного напряжения на базу, а батарея U к — подачу напряжения на коллектор триода. Особенностью этой схемы включения триода является ее способность обеспечить усиление по току и высокое усиление по мощности (достигает 10 000 раз), что и определяет ее широкое применение. В схеме с общим коллектором (рис.

224, б) усиливаемый сигнал подается на зажимы «Вход» между базой и заземлением, а усиленное напряжение снимается с сопротивления нагрузки R н, подключенного к зажимам «Выход» — между эмиттером и заземлением. В этой схеме коллектор является общим электродом для входной и выходной цепи триода. Схема с заземленным коллектором используется в основном в первом входном усилительном каскаде. Это связано с тем, что схема имеет высокое входное сопротивление и не может обеспечить усиления напряжения сигнала больше единицы. Важными параметрами полупроводниковых триодов являются коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности.

Коэффициент усиления по току для схемы с общей базой обозначается буквой α, а для схемы с общим эмиттером — буквой β.